1-1.請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)測(cè)量晶振兩端輸出的信號(hào)。如果沒有信號(hào)輸出，請(qǐng)依照步驟1-1至步驟1-4執(zhí)行檢查。若晶振輸出端（Xout）有信號(hào)輸出，但輸入端（Xin）無信號(hào)輸出，請(qǐng)依照步驟1-5至步驟1-6檢查晶振。

1-2.請(qǐng)卸下晶振并使用專業(yè)測(cè)試機(jī)測(cè)試其頻率和負(fù)載電容，看看它們是否振動(dòng)并符合您的規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給您的供應(yīng)商，讓他們?yōu)槟M(jìn)行測(cè)試。

1-3.如果出現(xiàn)以下情況，晶振不振動(dòng)，負(fù)載電容與您的規(guī)格不符，或者當(dāng)前頻率與您的目標(biāo)頻率差距較大，請(qǐng)將晶振寄給您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。

1-4.等效電路測(cè)試

1-4-1.一般來說，微處理器的振蕩電路源自于科爾皮茲電路，如下所示：圖片1 Cd和Cg是外部負(fù)載電容，已內(nèi)置在晶片組中。（請(qǐng)參閱晶片組規(guī)格）Rf為回授電阻，200KΩ~1MΩ。它通常是內(nèi)置在晶片組中。Rd為限流電阻，阻值為470Ω~1KΩ。一般電路不需要這個(gè)電阻，只有高功率電路才需要這個(gè)電阻。

1-4-2.一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要負(fù)電阻，其阻值至少應(yīng)為晶振電阻的5倍?？梢詫懗蓔-R| > 5盧比。例如，要獲得穩(wěn)定的振蕩電路，當(dāng)晶振電阻為40Ω時(shí)，IC的負(fù)阻值必須在–200Ω以下。

1-4-3.「負(fù)阻」是評(píng)價(jià)振蕩電路好壞的標(biāo)準(zhǔn)。在某些情況下，如老化、熱變化、電壓變化等，如果“Q”值較低，電路可能不會(huì)振蕩。因此，請(qǐng)按照以下說明測(cè)量負(fù)電阻（-R）非常重要：

將電阻（R）與晶體串聯(lián)從振蕩起始點(diǎn)到終止點(diǎn)調(diào)節(jié)R的值。測(cè)量振蕩期間的R值。您將能夠獲得負(fù)電阻值|–R| = R + Rr，Rr =晶體電阻。附：連接電路的雜散電容可能會(huì)影響測(cè)量值。

1-4-4.如果晶振參數(shù)正常，但在振蕩電路中工作不穩(wěn)定，則需要檢查IC的阻值是否太低，無法驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們可以透過三種方法來改善這種情況：降低外部電容（Cd和Cg）的值，并采用負(fù)載電容（CL）較低的其他晶體。采用電阻（Rr）較低的晶體。測(cè)量振蕩期間的R值。采用Cd和Cg不等值的設(shè)計(jì)。我們可以增加Cd（Xout）的負(fù)載電容，減少Cg（Xin）的負(fù)載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。

1-5.當(dāng)Xout有信號(hào)輸出而Xin沒有信號(hào)輸出時(shí)，代表后電極后端電路的功耗極大。我們可以在電路的輸出與其后電極之間添加一個(gè)緩沖器來驅(qū)動(dòng)后端電路。

1-6.除了上述1-1 ~ 1-5的方法外，您還可以按照步驟1-4-4中的三種方法進(jìn)行操作。如果無法解決您的問題，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)晶體或IC制造商的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師以獲得進(jìn)一步的協(xié)助。

FL = FR *（1 + C1 / 2 *（C0 + CL））其中此曲線表示電容變化隨頻率變化的變化（頻率可驅(qū)動(dòng)性）：

如果頻率計(jì)數(shù)器測(cè)得的頻率高于目標(biāo)頻率，則應(yīng)增加電容值（CL，或Cd&Cg）以將頻率降低至目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查調(diào)整頻率后波形幅度是否有改善。如果有所改善，則表示電路的原始設(shè)計(jì)沒有調(diào)諧到晶體的最佳諧振點(diǎn)。調(diào)整諧振點(diǎn)后，晶體應(yīng)能正常運(yùn)作。

2-3.如果頻率非常接近目標(biāo)頻率但波形幅度沒有改善，我們可以透過以下三種方法來改善：

方法1：降低外部電容（Cd、Cg）值，采用負(fù)載電容（CL）較低的晶振。

方法2：采用電阻（Rr）較低的晶振。

方法3：采用Cd、Cg不等值設(shè)計(jì)。我們可以增加Cd（Xout）的負(fù)載電容，減少Cg（Xin）的負(fù)載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。建議您采用以上方法，既節(jié)省成本又確保安全

2-4.請(qǐng)使用頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量晶振，以確保波形振幅改善后調(diào)整后的頻率仍符合原始規(guī)格。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)根據(jù)您的目標(biāo)頻率采用合適CL值的晶振。

2-5.如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率，請(qǐng)采用較低CL的晶體，反之亦然。

4-1.下面的曲線代表了晶體的電阻特性：

晶體有多種振動(dòng)模式，如基波、三階泛音、五階泛音…等。當(dāng)采用基波模式時(shí)，晶體的電阻最低，這意味著晶體最容易振蕩。當(dāng)采用第三音模式時(shí)，必須利用放大電路將基模的頻率回授降低到小于第三音模式的程度。因此，如果頻率僅為目標(biāo)頻率的三分之一，則應(yīng)檢查是否使用了放大電路或其設(shè)定值是否足夠，因?yàn)殡娐翻h(huán)境適合基頻模式而不是第三音模式。

4-2.如果不使用放大電路或放大電路設(shè)定值不夠，電路可能不會(huì)振蕩。

4-3.基本模式與第三音模式的應(yīng)用如下：

a.基本模式的應(yīng)用

b.第三音模式的應(yīng)用

4-4.下表為Third-Tone模式下不同頻率下L、C的匹配值：